半导体兰州化学清洗沾污来源分析

2018-11-19  来自: 兰州银河化学清洗工程有限公司 浏览次数:54

  关于半导体兰州化学清洗沾污来源分析

  半导体晶片表面的沾污是以沾污薄层、分散微粒和粒子(粒子团簇)和吸附气体的形式存在,表面沾污薄层和微粒包括分子化合物、离子物质和原子物质。分子化合物是指凝结的有机蒸汽微粒或膜层,包括来自润滑剂、油脂、光刻胶、残留溶剂、去离子水或塑料存储器等引入的有机化合物、金属氧化物或氢氧化物。离子物质由阴、阳粒子构成,多数来自于通过物理吸附或化学成键(化学吸附)而引入的无机化合物,如钠离子、氟离子和氯离子。原子物质主要由金属构成,如金和铜,它们可来自与含HF的溶液中,通过化学或电化学方式被电镀到半导体表面,或者由来自设备的硅颗粒或金属残留物构成。

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